搶先臺(tái)積電三星宣布已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程芯片

趕在6月結(jié)束之際，三星宣布已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程芯片，象征在制程技術(shù)發(fā)展領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

三星的3nm制程技術(shù)基于環(huán)繞式閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管架構(gòu)設(shè)計(jì)，相比臺(tái)積電目前采用的鰭式場(chǎng)效晶體管（Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET）能讓芯片發(fā)揮更高運(yùn)算性能，并且能藉由降低電壓提升能源效益。

相較先前的5nm制程，三星強(qiáng)調(diào)3nm制程約可降低45%能耗，并且讓運(yùn)算性能提升25%，芯片占用面積約可縮減16%，預(yù)期可應(yīng)用在更輕薄手機(jī)產(chǎn)品，或是更小裝置使用。

在臺(tái)積電預(yù)期要等到2023年才會(huì)開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程芯片產(chǎn)品情況下，預(yù)期三星將會(huì)藉由3nm制程技術(shù)搶先爭(zhēng)取更多代工需求客戶(hù)。

不過(guò)，從先前Qualcomm藉由三星5nm制程技術(shù)量產(chǎn)Snapdragon 8 Gen 1處理器，卻出現(xiàn)容易過(guò)熱問(wèn)題，因此在后續(xù)推出的Snapdragon 8+ Gen 1處理器，則因?yàn)閾Q成臺(tái)積電5nm制程技術(shù)，進(jìn)而在運(yùn)作發(fā)熱控制有較好表現(xiàn)，使得市場(chǎng)對(duì)于三星推出3nm制程技術(shù)良率表現(xiàn)感到質(zhì)疑。

目前臺(tái)積電依然是全球最大芯片代工業(yè)者，市占率高達(dá)53%，其次則是三星，市占率約在18%，而臺(tái)積電預(yù)計(jì)會(huì)在2025年進(jìn)入2nm制程發(fā)展，預(yù)期三星也會(huì)積極搶進(jìn)2nm制程技術(shù)市場(chǎng)。