今年開搶高通訂單！韓媒：三星 3 納米技術(shù)仍領(lǐng)先臺(tái)積電

韓媒《BusinessKorea》指出，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于今年9月量產(chǎn)3納米芯片，晚于三星約一個(gè)季度，但屆時(shí)，三星仍將與臺(tái)積電展開激烈競(jìng)爭(zhēng)，主要標(biāo)的則是高通的安卓手機(jī)芯片，以及NVIDIA的GPU等產(chǎn)品。

韓媒也稱，由于三星的3納米制程為更新的GAA技術(shù)，相比5納米制程的FinFET，功耗能降低45%，但效能提升23%，相比之下，臺(tái)積電沿用FinFET技術(shù)打造3納米芯片，只有10~15%的效能提升，或是減少30%功耗，整體來(lái)說，三星在3納米上仍保有技術(shù)上的領(lǐng)先。

不過，韓媒也坦言三星仍有良率及產(chǎn)能隱憂，這將是與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)3納米芯片訂單的關(guān)鍵。此外，臺(tái)積電的第二代3納米制程也會(huì)在2023年就啟動(dòng)，領(lǐng)先三星2024年的推出時(shí)程。